Kotur B., Babizhetskyy V., Bauer E., Kneidinger F., Danner A., Leber L., Michor H.
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
Автор: Kotur B., Babizhetskyy V., Bauer E., Kneidinger F., Danner A., Leber L., Michor H. Вид автора: персона
Мова: Англійська Обсяг: c.69-75
УДК: 546.112
Є складовою частиною документа: Фізико-хімічна механіка матеріалів
| | Назва документа, в якому знаходиться дана частина: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| | Дата видання документа, в якому знаходиться дана частина: | 2013 |
| | Номер головного документа: | №2 |
Теми документа
|